国家/地区 Korea（2）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
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机构
作者 SEO S（2）

Fabrication and electrical characteristics of graphene-based charge-trap memory devices

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

LEE S, KIM SM, SONG EB, WANG KL, SEO DH, SEO S

Facile fabrication for a stable interface in 2D materials/graphene van der Waals heterostructure

APPLIED PHYSICS EXPRESS

DU H, KIM S, KIM T, SHIN S, SONG HK, KIM H, KANG D, WOO YS, SEO S