国家/地区 Usa（38）
关键词 GRAPHENE（15） HETEROSTRUCTURE（5） HEXAGONAL BORON NIT.（3）
NEGATIVE DIFFERENTI.（3） RESONANT TUNNELING（3） BAND OFFSET（2）
BILAYER（2） BILAYER GRAPHENE（2） QUANTUM HALL（2）
TRANSISTOR（2）
出版物 NANO LETTERS（8） PHYSICAL REVIEW LET.（8） APPLIED PHYSICS LET.（4）
ACS NANO（3） PHYSICAL REVIEW B（3） SCIENCE（3）
出版时间 2012（6） 2011（5） 2016（5） 2015（4） 2014（3） 2017（3） 2022（3） 2009（2） 2010（2） 2013（2） 2018（2）
机构 UNIV TEXAS A.（32） TEXAS INSTRU.（2） UNIV ARIZONA（2）
作者 TUTUC E（40）

Tunneling and fluctuating electron-hole Cooper pairs in double bilayer graphene

PHYSICAL REVIEW B

EFIMKIN DK, BURG GW, TUTUC E, MACDONALD AH

Correlated Insulating States in Twisted Double Bilayer Graphene

PHYSICAL REVIEW LETTERS

BURG GW, ZHU JH, TANIGUCHI T, WATANABE K, MACDONALD AH, TUTUC E

Topologically Protected Helical States in Minimally Twisted Bilayer Graphene

PHYSICAL REVIEW LETTERS

HUANG S, KIM K, EFIMKIN DK, LOVORN T, TANIGUCHI T, WATANABE K, MACDONALD AH, TUTUC E, LEROY BJ

Strongly Enhanced Tunneling at Total Charge Neutrality in Double-Bilayer Graphene-WSe2 Heterostructures

PHYSICAL REVIEW LETTERS

BURG GW, PRASAD N, KIM K, TANIGUCHI T, WATANABE K, MACDONALD AH, REGISTER LF, TUTUC E

Oxidized Titanium as a Gate Dielectric for Graphene Field Effect Transistors and Its Tunneling Mechanisms

ACS NANO

CORBET CM, MCCLELLAN C, KIM K, SONDE S, TUTUC E, BANERJEE SK

Chemical potential and quantum Hall ferromagnetism in bilayer graphene

SCIENCE

LEE K, FALLAHAZAD B, XUE JM, DILLEN DC, KIM K, TANIGUCHI T, WATANABE K, TUTUC E

Band Offset and Negative Compressibility in Graphene-MoS2 Heterostructures

NANO LETTERS

LARENTIS S, TOLSMA JR, FALLAHAZAD B, DILLEN DC, KIM K, MACDONALD AH, TUTUC E

The Role of Surface Oxygen in the Growth of Large Single-Crystal Graphene on Copper

SCIENCE

HAO YF, BHARATHI MS, WANG L, LIU YY, CHEN H, NIE S, WANG XH, CHOU H, TAN C, FALLAHAZAD B, RAMANARAYAN H, MAGNUSON CW, TUTUC E, YAKOBSON BI, MCCARTY KF, ZHANG YW, KIM P, HONE J, COLOMBO L, RUOFF RS

Transport Gap in Dual-Gated Graphene Bilayers Using Oxides as Dielectrics

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

LEE K, FALLAHAZAD B, MIN H, TUTUC E

Self-aligned graphene field-effect transistors with polyethyleneimine doped source/drain access regions

APPLIED PHYSICS LETTERS

MOVVA HCP, RAMON ME, CORBET CM, SONDE S, CHOWDHURY SF, CARPENTER G, TUTUC E, BANERJEEL SK