| 国家/地区 | Korea（2） |
| 关键词 |
BARRISTOR（3）
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| 出版物 | |
| 出版时间 |
2016（3）
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| 机构 | |
| 作者 |
Gate-dependent asymmetric transport characteristics in pentacene barristors with graphene electrodes
NANOTECHNOLOGY
HWANG WT, MIN M, JEONG H, KIM D, JANG J, YOO D, JANG Y, KIM JW, YOON J, CHUNG S, YI GC, LEE H, WANG G, LEE T
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
CHAVES FA, JIMENEZ D
ORGANIC ELECTRONICS
SHIM J, PARK JH