国家/地区 Korea（2）
关键词 EDGE CONTACT（2）
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机构
作者 PARK S（2）

Simple Photolithography Process for a Graphene-Based Device with Edge Contact

NANOSCIENCE NANOTECHNOLOGY LETTERS

PARK S, SHEHZAD MA, CHOI W, KWON YH, EOM J, SEO Y

Extremely Low Contact Resistance on Graphene through n-Type Doping and Edge Contact Design

ADVANCED MATERIALS

PARK HY, JUNG WS, KANG DH, JEON J, YOO G, PARK Y, LEE J, JANG YH, LEE J, PARK S, YU HY, SHIN B, LEE S, PARK JH