| 国家/地区 |
China（23）
|
| 关键词 |
GRAPHENE（23）
|
| 出版物 |
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（23）
|
| 出版时间 | 2023（6） 2021（4） 2020（3） 2022（3） 2015（2） |
| 机构 | |
| 作者 |
CHEN HD（2）
CHEN J（2）
FANG Y（2）
ZHANG X（2）
ZHAO ZW（2） |
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
LIU K, CUI HW, ZHU L, LI X, LIU WH, HAN CY, WANG XL
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
HUANG YX, TAO LQ, YU JB, LI XD, WANG ZP, ZHENG K, CHEN XP
Gate Leakage Suppression and Breakdown Voltage Enhancement in p-GaN HEMTs Using Metal/Graphene Gates
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ZHOU GN, WAN ZY, YANG GY, JIANG Y, SOKOLOVSKIJ R, YU HY, XIA GR
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
CHEN W, ZHOU YG, YU XZ, XIE ZL, ZHANG R, ZHENG YD
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ZHANG Y, DENG DL, ZHU LJ, DENG SZ, CHEN J, XU NS
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
HU GX, HU SY, LIU R, WANG LL, ZHOU X, TANG TA
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ZHANG X, PAN YZ, CHEN JC
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
MAO XR, HUANG BJ, ZHANG X, SUN NF, CHENG CT, GAN S, GENG ZX, CHEN HD
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
CHEN WC, LI XQ, YIN WY, LIN SS, ZHAO ZG, LI EP, ZHOU HJ
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
XU K, XU C, XIE YY, DENG J, ZHU YX, GUO WL, XUN M, TEO KBK, CHEN HD, SUN J