国家/地区
关键词 GRAPHENE FIELDEFFECT TRANSISTOR GFET（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间
机构
作者

Channel-Length-Dependent Transport Behaviors of Graphene Field-Effect Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, CHEN ZH, BOL AA, SUN YN

Graphene-Silicon Hybrid MOSFET Integrated Circuits for High-Linearity Analog Amplification

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

XU LL, CAI WG, JIA YD, XING RQ, HAN TT, ZHANG B, WANG C