国家/地区
关键词 HEXAGONAL BORON NITRIDE HBN（2）
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机构
作者 TANIGUCHI T（2）

BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

WANG H, TAYCHATANAPAT T, HSU A, WATANABE K, TANIGUCHI T, JARILLOHERRERO P, PALACIOS T

Defect Control and n-Doping of Encapsulated Graphene by Helium-Ion-Beam Irradiation

NANO LETTERS

NANDA G, GOSWAMI S, WATANABE K, TANIGUCHI T, ALKEMADE PFA