国家/地区 Korea（2）
关键词 MOS2（2）
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机构
作者 IM S（2）

Vertical and In-Plane Current Devices Using NbS2/n-MoS2 van der Waals Schottky Junction and Graphene Contact

NANO LETTERS

SHIN HG, YOON HS, KIM JS, KIM M, LIM JY, YU S, PARK H, YI Y, KIM T, JUN SC, IM S

High-performance a MoS2 nanosheet-based nonvolatile memory transistor with a ferroelectric polymer and graphene source-drain electrode

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

LEE YT, HWANG DK, IM S