国家/地区 Korea（3）
关键词 RESISTIVE SWITCHING（3）
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机构
作者 KIM H（3）

NiO Resistive Random Access Memory Nanocapacitor Array on Graphene

ACS NANO

SON JY, SHIN YH, KIM H, JANG HM

Impact of graphene and single-layer BN insertion on bipolar resistive switching characteristics in tungsten oxide resistive memory

THIN SOLID FILMS

KIM J, KIM D, JO Y, HAN J, WOO H, KIM H, KIM KK, HONG JP, IM H

Tunable resistive switching of vertical ReSe2/graphene hetero-structure enabled by Schottky barrier height and DUV light

JOURNAL OF ALLOYS COMPOUNDS

REHMAN S, KIM H, KHAN MF, HUR JH, EOM J, KIM DK