国家/地区 China（2）
关键词 RESISTIVE SWITCHING（2）
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作者 SUN YM（2）

Ternary Resistive Switching Memory Behavior in Graphene Oxide Layer

NANO

LU JG, SUN YM, WEN DZ

Gate controlled resistive switching behavior of heterostructure in the Ni-Co layered double hydroxide/graphene oxide transistor

APPLIED SURFACE SCIENCE

YUAN Q, HE N, WANG YF, SUN YM, WEN DZ