国家/地区 China（14） Korea（10） England（2） Taiwan（2）
关键词 SCHOTTKY BARRIER HEIGHT（34）
出版物 APPLIED SURFACE SCI.（3） JOURNAL OF PHYSICS .（3） NANOMATERIALS（3）
ACS APPLIED MATERIA.（2） ACS NANO（2） CHINESE PHYSICS B（2）
JOURNAL OF THE KORE.（2）
出版时间 2020（8） 2022（7） 2019（4） 2014（3） 2015（3） 2018（2） 2021（2）
机构 SUNGKYUNKWAN.（4） CHONBUK NATL.（3） GUIZHOU UNIV.（3） NATL CHANGHU.（2）
作者 LIU XF（5） LUO ZJ（5） LV B（5） DING Z（4）
KANG WT（3） LEE I（3） YU WJ（3） ZHANG ZC（3）
JI XL（2） KIM MJ（2） KIM YR（2） LEE K（2）
LEE YH（2） LIN YJ（2） RAN JX（2） SHIN YS（2）
WANG JX（2） WEI TB（2） WON UY（2）

Understanding the Charge Transport Mechanism in MoS2 Transistors with Graphene Electrodes

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

JANG J, HWANG DK

The external electric-field-induced Schottky-to-ohmic contact transition in graphene/As2S3 interface: A study by the first principles

INTERNATIONAL JOURNAL OF ENERGY RESEARCH

LIU XF, ZHANG ZC, LV B, DING Z, LUO ZJ

Van der Waals heterostructure of graphene and As2S3: Tuning the Schottky barrier height by vertical strain

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

LIU XF, LV B, DING Z, LUO ZJ

Impact of graphene interlayer on performance parameters of sandwich structure Pt/GaN Schottky barrier diodes

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

RAN JX, LIU BY, JI XL, FARIZA A, LIU ZT, WANG JX, GAO P, WEI TB

The External Electric Field-Induced Tunability of the Schottky Barrier Height in Graphene/AlN Interface: A Study by First-Principles

NANOMATERIALS

LIU XF, ZHANG ZC, LV B, DING Z, LUO ZJ

Photoinduced Tuning of Schottky Barrier Height in Graphene/MoS2 Heterojunction for Ultrahigh Performance Short Channel Phototransistor

ACS NANO

LEE I, KANG WT, KIM JE, KIM YR, WON UY, LEE YH, YU WJ

Capacitance-Voltage (C-V ) Characterization of Graphene-Silicon Heterojunction Photodiodes

ADVANCED OPTICAL MATERIALS

RIAZIMEHR S, BELETE M, KATARIA S, ENGSTROM O, LEMME MC

Ultrathin MoOx/Graphene Hybrid Field Effect Transistor Sensors Prepared Simply by a Shadow Mask Approach for Selective ppb-Level NH3 Sensing with Simultaneous Superior Response and Fast Recovery

ADVANCED MATERIALS INTERFACES

FALAK A, TIAN Y, YAN LQ, XU LH, SONG ZW, HU HF, DONG FL, ADAMU BI, ZHAO M, CHEN PP, WANG HF, CHU WG

Schottky Barrier Variable Graphene/Multilayer-MoS2 Heterojunction Transistor Used to Overcome Short Channel Effects

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

LEE I, KIM JN, KANG WT, SHIN YS, LEE BH, YU WJ

Tunable Electronic Properties of Graphene/g-AlN Heterostructure: The Effect of Vacancy and Strain Engineering

NANOMATERIALS

LIU XF, ZHANG ZF, LUO ZJ, LV B, DING Z