国家/地区
关键词 SEMICONDUCTING IIIV MATERIAL（2）
出版物 JOURNAL OF CRYSTAL .（2）
出版时间 2021（2）
机构
作者

Low angle incidence microchannel epitaxy of GaN using graphene as a mask

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

TAKENAKA S, KATO D, MARUYAMA T, NARITSUKA S

Preparation of large area graphene on SiC(000-1) by moderate vacuum technology

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

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