国家/地区 Germany（20）
关键词 GRAPHENE（3）
出版物 PHYSICAL REVIEW B（5） PHYSICAL REVIEW LET.（3） CARBON（2）
JOURNAL OF PHYSICAL.（2）
出版时间 2012（20）
机构 UNIV ERLANGEN NURNBERG（20）
作者 GORLING A（5） JOBST J（5） VINES F（5） WEBER HB（5）
WALDMANN D（4） DOTZER C（3） HIRSCH A（3） KOZLOV SM（3）
KRIEGER M（3） SEYLLER T（3） EIGLER S（2） GEBHARDT J（2）
GOTTERBARM K（2） GULDI DM（2） HENSEL S（2） HERTEL S（2）
HOFERT O（2） JUX N（2） MALIG J（2） PANKRATOV O（2）

Influence of the surface dipole layer and Pauli repulsion on band energies and doping in graphene adsorbed on metal surfaces

PHYSICAL REVIEW B

GEBHARDT J, VINES F, GORLING A

Graphene on cubic and hexagonal SiC: A comparative theoretical study

PHYSICAL REVIEW B

PANKRATOV O, HENSEL S, GOTZFRIED P, BOCKSTEDTE M

Buffer layer limited conductivity in epitaxial graphene on the Si face of SiC

PHYSICAL REVIEW B

RAY N, SHALLCROSS S, HENSEL S, PANKRATOV O

Visualization of defect densities in reduced graphene oxide

CARBON

EIGLER S, DOTZER C, HIRSCH A

Growth and electronic structure of nitrogen-doped graphene on Ni(111)

PHYSICAL REVIEW B

KOCH RJ, WESER M, ZHAO W, VINES F, GOTTERBARM K, KOZLOV SM, HOFERT O, OSTLER M, PAPP C, GEBHARDT J, STEINRUCK HP, GORLING A, SEYLLER T

Tailoring the graphene/silicon carbide interface for monolithic wafer-scale electronics

NATURE COMMUNICATIONS

HERTEL S, WALDMANN D, JOBST J, ALBERT A, ALBRECHT M, RESHANOV S, SCHONER A, KRIEGER M, WEBER HB

Origin of Doping in Quasi-Free-Standing Graphene on Silicon Carbide

PHYSICAL REVIEW LETTERS

RISTEIN J, MAMMADOV S, SEYLLER T

On the interaction of polycyclic aromatic compounds with graphene

CARBON

KOZLOV SM, VINES F, GORLING A

Origin of logarithmic resistance correction in graphene

NATURE PHYSICS

JOBST J, WEBER HB

Implanted bottom gate for epitaxial graphene on silicon carbide

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WALDMANN D, JOBST J, FROMM F, SPECK F, SEYLLER T, KRIEGER M, WEBER HB