国家/地区 India（2）
关键词 GRAPHENE（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间 2010（2）
机构
作者

Remarkably low turn-on field emission in undoped, nitrogen-doped, and boron-doped graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

PALNITKAR UA, KASHID RV, MORE MA, JOAG DS, PANCHAKARLA LS, RAO CNR

Intrinsic limits of subthreshold slope in biased bilayer graphene transistor

APPLIED PHYSICS LETTERS

MAJUMDAR K, MURALI KVRM, BHAT N, LIN YM