国家/地区 Italy（2）
关键词 SIMULATION（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间
机构 UNIV BOLOGNA（2）
作者 BACCARANI G（2） DI LECCE V（2） GNANI E（2） GNUDI A（2）
REGGIANI S（2）

Simulation of Graphene Base Transistors With Bilayer Tunnel Oxide Barrier: Model Calibration and Performance Projection

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

DI LECCE V, GNUDI A, GNANI E, REGGIANI S, BACCARANI G

Simulations of Graphene Base Transistors With Improved Graphene Interface Model

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

DI LECCE V, GNUDI A, GNANI E, REGGIANI S, BACCARANI G