国家/地区 Japan（2）
关键词 BAND GAP（2）
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作者 NAGASHIO K（2）

Isothermal Growth and Stacking Evolution in Highly Uniform Bernal-Stacked Bilayer Graphene

ACS NANO

SOLISFERNANDEZ P, TERAO Y, KAWAHARA K, NISHIYAMA W, UWANNO T, LIN YC, YAMAMOTO K, NAKASHIMA H, NAGASHIO K, HIBINO H, SUENAGA K, AGO H

Electrically Inert h-BN/Bilayer Graphene Interface in All-Two-Dimensional Heterostructure Field Effect Transistors

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

UWANNO T, TANIGUCHI T, WATANABE K, NAGASHIO K