国家/地区 Usa（5）
关键词 RESONANT TUNNELING（5）
出版物 NANO LETTERS（3）
出版时间 2015（3）
机构 UNIV TEXAS A.（3）
作者 BANERJEE SK（3） KANG S（3） KIM K（3） REGISTER LF（3）
TANIGUCHI T（3） TUTUC E（3） WATANABE K（3） FALLAHAZAD B（2）
LEE K（2） MOVVA HCP（2）

Confinement, Transport Gap, and Valley Polarization in Graphene from Two Parallel Decorated Line Defects

NANO LETTERS

GUNLYCKE D, VASUDEVAN S, WHITE CT

Effects of Electrode Layer Band Structure on the Performance of Multilayer Graphene-hBN-Graphene Interlayer Tunnel Field Effect Transistors

NANO LETTERS

KANG S, PRASAD N, MOVVA HCP, RAI A, KIM K, MOU XH, TANIGUCHI T, WATANABE K, REGISTER LF, TUTUC E, BANERJEE SK

Bilayer Graphene-Hexagonal Boron Nitride Heterostructure Negative Differential Resistance Interlayer Tunnel FET

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

KANG S, FALLAHAZAD B, LEE K, MOVVA H, KIM K, CORBET CM, TANIGUCHI T, WATANABE K, COLOMBO L, REGISTER LF, TUTUC E, BANERJEE SK

Graphene quantum interference photodetector

BEILSTEIN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY

ALAM M, VOSS PL

Gate-Tunable Resonant Tunneling in Double Bilayer Graphene Heterostructures

NANO LETTERS

FALLAHAZAD B, LEE K, KANG S, XUE JM, LARENTIS S, CORBET C, KIM K, MOVVA HCP, TANIGUCHI T, WATANABE K, REGISTER LF, BANERJEE SK, TUTUC E