国家/地区 Usa（4）
关键词 BILAYER GRAPHENE（2） GRAPHENE（2） HETEROSTRUCTURE（2）
HEXAGONAL BORON NIT.（2） NEGATIVE DIFFERENTI.（2） RESONANT TUNNELING（2）
出版物 NANO LETTERS（2）
出版时间 2015（4）
机构 UNIV TEXAS A.（3）
作者 TUTUC E（4）

Band Alignment in WSe2-Graphene Heterostructures

ACS NANO

KIM K, LARENTIS S, FALLAHAZAD B, LEE K, XUE JM, DILLEN DC, CORBET CM, TUTUC E

Bilayer Graphene-Hexagonal Boron Nitride Heterostructure Negative Differential Resistance Interlayer Tunnel FET

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

KANG S, FALLAHAZAD B, LEE K, MOVVA H, KIM K, CORBET CM, TANIGUCHI T, WATANABE K, COLOMBO L, REGISTER LF, TUTUC E, BANERJEE SK

Intrinsic Disorder in Graphene on Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures

NANO LETTERS

YANKOWITZ M, LARENTIS S, KIM K, XUE JM, MCKENZIE D, HUANG SQ, PAGGEN M, ALI MN, CAVA RJ, TUTUC E, LEROY BJ

Gate-Tunable Resonant Tunneling in Double Bilayer Graphene Heterostructures

NANO LETTERS

FALLAHAZAD B, LEE K, KANG S, XUE JM, LARENTIS S, CORBET C, KIM K, MOVVA HCP, TANIGUCHI T, WATANABE K, REGISTER LF, BANERJEE SK, TUTUC E