国家/地区 Usa（3）
关键词 HEXAGONAL BORON NITRIDE（3）
出版物 NANO LETTERS（2）
出版时间 2015（3）
机构 UNIV TEXAS A.（2）
作者 BANERJEE SK（2） FALLAHAZAD B（2） KANG S（2） KIM K（2）
LEE K（2） REGISTER LF（2） TANIGUCHI T（2） TUTUC E（2）
WATANABE K（2）

Bilayer Graphene-Hexagonal Boron Nitride Heterostructure Negative Differential Resistance Interlayer Tunnel FET

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

KANG S, FALLAHAZAD B, LEE K, MOVVA H, KIM K, CORBET CM, TANIGUCHI T, WATANABE K, COLOMBO L, REGISTER LF, TUTUC E, BANERJEE SK

Ripples, Strain, and Misfit Dislocations: Structure of Graphene-Boron Nitride Super lattice Interfaces

NANO LETTERS

NANDWANA D, ERTEKIN E

Gate-Tunable Resonant Tunneling in Double Bilayer Graphene Heterostructures

NANO LETTERS

FALLAHAZAD B, LEE K, KANG S, XUE JM, LARENTIS S, CORBET C, KIM K, MOVVA HCP, TANIGUCHI T, WATANABE K, REGISTER LF, BANERJEE SK, TUTUC E