国家/地区 Usa（3）
关键词 CONTACT RESISTANCE（2） FIELDEFFECT TRANSIS.（2） GRAPHENE（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（3）
出版时间 2011（2）
机构 IBM TJ WATSO.（2）
作者 BOL AA（3）

Double Contacts for Improved Performance of Graphene Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, PEREBEINOS V

Effects of Nanoscale Contacts to Graphene

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

FRANKLIN AD, HAN SJ, BOL AA, HAENSCH W

Channel-Length-Dependent Transport Behaviors of Graphene Field-Effect Transistors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, CHEN ZH, BOL AA, SUN YN