国家/地区 Japan（3）
关键词
出版物 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（3）
出版时间 2009（3）
机构 HOKKAIDO UNI.（3）
作者 SANO E（3）

Bandgap Engineering of Bilayer Graphene for Field-Effect Transistor Channels

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

SANO E, OTSUJI T

Theoretical Evaluation of Channel Structure in Graphene Field-Effect Transistors

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

SANO E, OTSUJI T

Performance Prediction of Graphene-Channel Field-Effect Transistors

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

SANO E, OTSUJI T