国家/地区
关键词 THREADING DISLOCATION（3）
出版物
出版时间 2019（3）
机构 NATL TAIWAN .（2）
作者 CHANG KJ（2） CHIANG CY（2） KE WC（2） LIANG ZY（2）
LIN JC（2） TESFAY ST（2）

Solid-State Carbon-Doped GaN Schottky Diodes by Controlling Dissociation of the Graphene Interlayer with a Sputtered AlN Capping Layer

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

KE WC, TESFAY ST, SEONG TY, LIANG ZY, CHIANG CY, CHEN CY, SON W, CHANG KJ, LIN JC

Epitaxial growth and characterization of GaN thin films on graphene/sapphire substrate by embedding a hybrid-AlN buffer layer

APPLIED SURFACE SCIENCE

KE WC, LIANG ZY, TESFAY ST, CHIANG CY, YANG CY, CHANG KJ, LIN JC

Investigation of GaN with Low Threading Dislocation Density Grown on Graphene/Sputtered AlN Composite Substrate

PHYSICA STATUS SOLIDIRAPID RESEARCH LETTERS

ZHANG YC, SU K, GUO R, XU SR, CHEN DZ, ZHU JD, BAO WM, ZHANG JC, NING J, HAO Y