国家/地区 Usa（4）
关键词 EPITAXIAL GRAPHENE（2） NANOELECTRONIC（2）
出版物 JOURNAL OF PHYSICS .（2）
出版时间 2012（2）
机构 GEORGIA INST TECHNOL（4）
作者 DONG R（4）

Wafer bonding solution to epitaxial graphene-silicon integration

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

DONG R, GUO ZL, PALMER J, HU YK, RUAN M, HANKINSON J, KUNC J, BHATTACHARYA SK, BERGER C, DE HEER WA

Record Maximum Oscillation Frequency in C-Face Epitaxial Graphene Transistors

NANO LETTERS

GUO ZL, DONG R, CHAKRABORTY PS, LOURENCO N, PALMER J, HU YK, RUAN M, HANKINSON J, KUNC J, CRESSLER JD, BERGER C, DE HEER WA

Epitaxial graphene on silicon carbide: Introduction to structured graphene

MRS BULLETIN

RUAN M, HU YK, GUO ZL, DONG R, PALMER J, HANKINSON J, BERGER C, DE HEER WA

Structured epitaxial graphene: growth and properties

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

HU YK, RUAN M, GUO ZL, DONG R, PALMER J, HANKINSON J, BERGER C, DE HEER WA