国家/地区 Usa（3）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（3）
出版时间
机构 CARNEGIE MELLON UNIV（3）
作者 FEENSTRA RM（3）

Substitutional mechanism for growth of hexagonal boron nitride on epitaxial graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

MENDE PC, LI J, FEENSTRA RM

Morphology of graphene on SiC(000(1)over-bar) surfaces

APPLIED PHYSICS LETTERS

LUXMI, FISHER PJ, SRIVASTAVA N, FEENSTRA RM, SUN YG, KEDZIERSKI J, HEALEY P, GU G

Theory of resonant tunneling in bilayer-graphene/hexagonal-boron-nitride heterostructures

APPLIED PHYSICS LETTERS

DE LA BARRERA SC, FEENSTRA RM