国家/地区 Italy（2）
关键词 MODELING（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间
机构 UNIV BOLOGNA（2）
作者 DI LECCE V（2）

Simulation of Graphene Base Transistors With Bilayer Tunnel Oxide Barrier: Model Calibration and Performance Projection

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

DI LECCE V, GNUDI A, GNANI E, REGGIANI S, BACCARANI G

Simulations of Graphene Base Transistors With Improved Graphene Interface Model

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

DI LECCE V, GNUDI A, GNANI E, REGGIANI S, BACCARANI G