国家/地区 Usa（2）
关键词 RADIO FREQUENCY RF（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间
机构 IBM TJ WATSO.（2）
作者 JENKINS KA（2）

Multifinger Embedded T-Shaped Gate Graphene RF Transistors With High f(MAX)/f(T) Ratio

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, OIDA S, JENKINS KA, LU D, ZHU Y

Dual-Gate Graphene FETs With f(T) of 50 GHz

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

LIN YM, CHIU HY, JENKINS KA, FARMER DB, AVOURIS P, VALDESGARCIA A