国家/地区
关键词 EPITAXIAL GRAPHENE（2）
出版物 JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS（2）
出版时间 2014（2）
机构
作者

Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WEHRFRITZ P, FROMM F, MALZER S, SEYLLER T

Wafer bonding solution to epitaxial graphene-silicon integration

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

DONG R, GUO ZL, PALMER J, HU YK, RUAN M, HANKINSON J, KUNC J, BHATTACHARYA SK, BERGER C, DE HEER WA