国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） C23（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/02（2）
发明人 LEE J（2）
公开年
申请年 2013（2）
专利权人

Formation of graphene layer on substrate used for semiconductor device, involves forming carbon source layer and metal catalyst layer on substrate, converting carbon source layer into graphene layer and removing metal catalyst layer.

BAEK J, JEON S, LEE J, BAEK J W, JEON S W, LEE J S

Manufacturing method of graphene device e.g. FET , nanogap device, graphene sensor involves etching protection layer until residual layer made of material for forming protection layer remains on active area of graphene layer.

LEE J, JEON T, KIM Y, LEE C, JUNG Y, LEE J H, JEON T H, KIM Y S, LEE C S, JUNG Y S