国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C30（2） H01（2）
IPC小类 C30B（2）
IPC C30B025/18（2）
发明人
公开年 2023（2）
申请年 2023（2）
专利权人

Reducing damage to substrate when using plasma-enhanced atomic layer deposition to grow thin film involves depositing oxide film on cleaned substrate using water/ozone source and metal source, and depositing nitride film using plasma source.

HU Y, ZHU X, TIAN F, YANG J, LIU H, QIU P, WEI H, ZHENG X, QIU H

Growing single crystal III-nitrides on ceramic substrate comprises e.g. depositing filling material on surface of ceramic substrate, grinding and polishing to obtain smooth surface, and/or forming aluminum-oxygen compound layer or two-dimensional material layer on surface.

GUO F, YANG H, CHEN Z, WU J, SHEN B, YANG X