国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） C（2） H（2）
IPC大类 C23（2） H01（2）
IPC小类 C23C（2） H01L（2）
IPC H01L021/02（2） H01L029/16（2） H01L029/786（2）
发明人 AHN J（2） AHN J R（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（2） 
专利权人 AHN J（2）

Making graphene structure involves depositing metal layer over silicon carbide substrate, and performing first heat treatment on substrate over which metal layer is deposited to form composite layer and electrically neutral graphene layer.

AHN J, SHIN H, SONG I, AHN J R, SHIN H C, SONG I K

Graphene semiconductor, useful in electrical device e.g. FET, single electron transistor and LED, comprises graphene and a metal atomic layer comprising a metal i.e. sodium disposed on graphene which transfers charge with the graphene.

AHN J, SEO J, PARK J, JEON C, AHN J R, JEON C H, PARK J H, SEO J T