国家/地区 中国（3）
IPC部 H（3） C（2）
IPC大类 H01（3） C30（2）
IPC小类 H01L（3） C30B（2）
IPC H01L021/02（3） C30B025/18（2） C30B029/40（2）
发明人 FENG H（3）
公开年 2022（3）
申请年 2021（2） 
专利权人 CEC COMPOUND SEMICONDUCTOR CO LTD（3）

Preparation method of epitaxial structure of gallium nitride-based on power device, involves growing gallium-nitride cap layer on aluminum nitride gallium nitride potential barrier layer.

PAN Y, HE X, FENG H, TANG J

Preparation of gallium nitride epitaxial structure by providing a silicon carbide substrate, pre-processing, growing a graphene film, growing diamond film, growing aluminum nitride polycrystalline film, and annealing.

PAN Y, FENG H, TANG J

Preparing epitaxial structure for gallium nitride-based radio frequency device, comprises e.g. performing surface cleaning treatment, annealing the silicon carbide substrate to produce graphene film, growing indium-galliun-nitride-aluminum-gallium-nitride barrier layer.

PAN Y, FENG H, TANG J