国家/地区 韩国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 G（2）
IPC大类 G03（2）
IPC小类 G03F（2）
IPC G03F001/22（2） G03F001/62（2）
发明人 CHO S J（2） KIM K S（2） MOON S Y（2）
SEO K（2） SEO K W（2） YU L（2）
公开年 2022（2）
申请年
专利权人 FST CO LTD（2）

Pellicle film used for extreme UV lithography, comprises boron nitride nanostructure layer.

CHOI J H, CHO S J, YU L, KIM C, LEE S Y, SEO K W, KIM K S, MOON S Y, KIMCHUNG, SEO K

Producing pellicle for extreme ultraviolet lithography involves forming silicon carbide layer on one side of substrate, forming metal catalyst layer over the silicon carbide layer followed by removing metal catalyst layer.

YU L, CHO S J, KIM K S, SEO K W, MOON S Y, KIM J K, YOU J D, SEO K