国家/地区 日本（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2） H01L（2）
IPC C01B031/02（2） H01L021/02（2） H01L021/336（2）
H01L029/06（2） H01L029/16（2） H01L029/786（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2）
发明人
公开年 2013（2）
申请年
专利权人 FUJITSU LTD（2）

Electronic apparatus e.g. transistor, has protective film consisting of transition metal oxide that is formed on graphene film which is formed on insulating substrate, and insulating layer formed on protective film with electrode.

YAMAGUCHI J

Manufacture of graphene nanomesh used for e.g. manufacturing semiconductor device, involves depositing several particles having carbon absorption property on graphene at predetermined temperature or more, heating and removing particles.

SATO S, IWAI T