国家/地区 韩国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L029/16（2） H01L029/167（2） H01L029/66（2）
发明人
公开年 2018（2）
申请年
专利权人 GWANGJU INST SCI TECHNOLOGY（2）

Method for doping synthesized graphene by high temperature heat treatment in gas atmosphere containing dopant,.

HAM M H, SON M W, MYUNGWOO S

Graphene-based ternary barrister, has gate electrode layer formed on center of substrate, source electrode layer arranged to two sides of graphene channel layer, and drain electrode layer arranged to two sides of source electrode layer.

LEE B H, SHIM C H, KIM Y J, KIM S Y