国家/地区 中国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L029/06（2） H01L029/16（2） H01L029/78（2）
发明人 XU H（2）
公开年 2019（2）
申请年 2018（2） 
专利权人 HUAWEI TECHNOLOGIES CO LTD（2）

FET comprises substrate layer, graphene channel layer, source/drain electrodes, gate dielectric layer, semiconductor layer provided without contacting source/drain electrodes, and grid electrode.

XU H, XIAO X, LI W

Graphene FET, has first gate electrode comprising multiple spaced sub-electrodes, where each sub-electrode and second gate electrode are formed with longitudinal electric field vertical to channel layer.

QIN X, XU H