国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC
发明人 KIM Y（2） KIM Y S（2） LEE J（2）
LEE J H（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（2） 
专利权人 KIM Y（2）

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Manufacturing method of graphene device e.g. FET , nanogap device, graphene sensor involves etching protection layer until residual layer made of material for forming protection layer remains on active area of graphene layer.

LEE J, JEON T, KIM Y, LEE C, JUNG Y, LEE J H, JEON T H, KIM Y S, LEE C S, JUNG Y S