国家/地区 韩国（3） 美国（3） 中国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（3） B（2） C（2）
IPC大类 H01（3） C01（2） C23（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2） C23C（2）
IPC C01B031/02（2） C23C016/26（2） C23C016/44（2）
H01L029/78（2）
发明人 CHO B J（2） JEON S（2） LEE J（2）
OH S（2）
公开年 2012（4）
申请年 2012（4）
专利权人 KOREA ADVANCED INST SCI TECHNOLOGY（4）

Graphene electronic device e.g. FET, has graphene channel layer formed on gate insulating layer, source electrode formed on end of graphene channel layer, and drain electrode formed on another end of graphene channel layer.

SONG H, CHO B, SEO S, SHIN W, SONG H J, CHO B J, SEO S A, SHIN W C, SONG C, SIN W

Floating gate- or charge trap-type non-volatile memory device includes gate electrode made of graphene.

CHO B J, PARK J K

Manufacture of graphene used for e.g. touch screen, involves forming transition metal catalyst layer on substrate, supplying carbon source vapor to chamber and segregating graphene from carbon component in catalyst-layer surface.

JEON S, LEE J, OH S

Manufacture of graphene for e.g. touch screen, involves loading substrate having catalyst layer into chamber, evaporating, supplying carbon source gas, heating in primary portion of catalyst layer, dissolving carbon component, and cooling.

JEON S, LEE J, OH S, RAN O S, SEOP L J, U JEON S, JIN S L, SE R O, SEOK W J