国家/地区 韩国（2）
IPC部 B（2） C（2）
IPC大类 C01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人 HWANG C Y（2）
公开年
申请年 2014（2）
专利权人 KOREA RES INST STANDARDS SCI（2）

Residue free transfer method of graphene/metal sample pasted by limited polymer line, transferring graphene, coating polymer coating material in metal flake, hardening of metal flake, etching metal foil and rinsing with distilled water.

HWANG C Y, YOO K J

Manufacture of monocrystal graphene film for semiconductor device, involves forming polycrystalline graphene on substrate using hydrocarbon gas, growing graphene film, forming catalyst, heating and recrystallizing.

HWANG C, HWANG C Y