国家/地区 中国（2） 韩国（2） 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/336（2） H01L029/06（2） H01L029/16（2）
H01L029/165（2） H01L029/78（2）
发明人 LI M（2）
公开年 2015（2）
申请年 2014（2） 
专利权人 LEE M（2）

Graphene-metal bonding structure for semiconductor device has intermediate material layer which forms edge-contact with metal layer from boundary portions of material contained in intermediate material layer that contacts metal layer.

LEE J, SHIN H, LEE M, LEE C, LEE J H, SHIN H J, LEE M H, LEE C S, LI M

Graphene device e.g. FET, has gate electrode for applying electric field to graphene channel layer, and junction contact layers for contacting portions of channel layer, where contact layers are electrically separated from each other.

LEE J, BYUN K, SONG H, SHIN H, LEE M, YOO I, PARK S, LEE J H, BYUN K E, SONG H J, SHIN H J, LEE M H, YOO I K, PARK S J, SONG C, LI M