国家/地区 日本（3）
IPC部 C（3） A（2） B（2）
H（2）
IPC大类 C01（3） A24（2） B01（2）
H01（2）
IPC小类 C01B（3） A24D（2） B01J（2）
H01L（2）
IPC A24D003/16（2） B01J027/20（2） C01B031/02（2）
C01B031/04（2）
发明人 COLLINS W R（2） GOODS J B（2） LEWANDOWSKI W（2）
SCHMOIS E（2） SWAGER T M（2） SYDLIK S（2）
WALISH J（2）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2） 
专利权人 MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY（3）

Manufacturing method of semiconductor device, by forming graphene layer on first substrate, transferring graphene layer from first substrate to second substrate, and forming single-crystalline film on graphene layer.

KIM J

Composition useful for fabricating a functionalized carbon-based nanostructure, comprises graphene or graphene oxide comprising at least one functional group associated with the graphene or graphene oxide.

SWAGER T M, COLLINS W R, LEWANDOWSKI W, SCHMOIS E, SYDLIK S, WALISH J, GOODS J B

Reducing the amount of a species in a vapor phase sample comprises contacting a vapor phase sample containing a first concentration of the species with a composition comprising substituted graphene or graphene oxide molecules.

SWAGER T M, COLLINS W R, LEWANDOWSKI W, SCHMOIS E, SYDLIK S, WALISH J, GOODS J B, SWAGER T, COLLINS W, GOODS J