国家/地区 中国（2） 日本（2） 韩国（2） 新加坡（2） 台湾（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L021/768（2） H01L023/532（2）
发明人 SANDHU G S（2）
公开年
申请年 2011（2）
专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC（2）

Method of forming switch e.g. graphene-containing switch for use as select device in memory device e.g. memory array, involves electrically coupling graphene structure with exposed portion of bottom electrode.

SANDHU G S, SANDHU G

Electrically conductive laminate structure useful in electrical interconnect, comprises graphene region sandwiched between pair of non-graphene regions, where non-graphene region includes electrically conductive non-graphene region.

SANDHU G S