国家/地区 美国（3） 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 韩国（2） 新加坡（2） 台湾（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（3）
IPC大类 H01（3）
IPC小类 H01L（3）
IPC H01L029/06（3） H01L029/16（3） H01L029/778（3）
H01L021/336（2） H01L021/768（2） H01L021/82（2）
H01L023/525（2） H01L023/532（2） H01L029/786（2）
H01L051/05（2） H01L051/30（2）
发明人 SANDHU G S（3） SANDHU G（2）
公开年 2013（3）
申请年
专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC（3）

Memory cell switch for reversibly opening and closing circuit, has ferroelectric material formed between graphene structure and conductive structure, where conductive structure provides switch into on and off states.

SANDHU G S, SANDHU G

Forming method of switch has electrically conductive structures which impart electric field across graphene structure coupled to top electrode and bottom electrode.

SANDHU G S

Method of forming switch e.g. graphene-containing switch for use as select device in memory device e.g. memory array, involves electrically coupling graphene structure with exposed portion of bottom electrode.

SANDHU G S, SANDHU G