国家/地区 中国（2） 韩国（2） 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC
发明人 LEE J（2） PARK S（2） PARK S J（2）
SHIN H（2） SHIN H J（2）
公开年 2015（2）
申请年
专利权人 PARK S（2）

Wiring structure for electronic device comprises conductive material layer and nanocrystalline graphene layer.

LEE C, SHIN H, PARK S, IM D, PARK H, SHIN K, LEE J, LIM H, LEE C S, SHIN H J, PARK S J, IM D H, SHIN K W, LEE J M, LIM H J, PIAO X

Graphene device e.g. FET, has gate electrode for applying electric field to graphene channel layer, and junction contact layers for contacting portions of channel layer, where contact layers are electrically separated from each other.

LEE J, BYUN K, SONG H, SHIN H, LEE M, YOO I, PARK S, LEE J H, BYUN K E, SONG H J, SHIN H J, LEE M H, YOO I K, PARK S J, SONG C, LI M