国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L033/04（2） H01L051/00（2）
发明人 CHUNG H（2） CHUNG H J（2） HWANG S（2）
HWANG S W（2） KO G（2） KO G W（2）
LEE J（2） LEE J H（2） SIM S（2）
SIM S H（2） SONE C（2） SONE C S（2）
公开年 2012（2）
申请年 2011（2）
专利权人 SAMSUNG LED CO LTD（2）

Graphene quantum dot light emitting device comprises first graphene; graphene quantum dot layer disposed on the first graphene and containing graphene quantum dots; and second graphene disposed on the graphene quantum dot layer.

HWANG S, KO G, SIM S, CHUNG H, SONE C, LEE J, HONG B, BAE S, HWANG S W, KO G W, SIM S H, CHUNG H J, SONE C S, LEE J H, HONG B H, BAE S K

Graphene light-emitting device e.g. LED comprises a p-type graphene doped with a p-type dopant, an n-type graphene doped with an n-type dopant, and an active graphene that is disposed between the p-type graphene and the n-type graphene.

HWANG S, KO G, SIM S, CHUNG H, SEONG H, SONE C, LEE J, KO H, CHOI S, KIM S, SUN W W, GUAN Y K, SUN H S, CHUNG H J, HAN K S, CHEOLSOO S, LEE Z H, HUYNH D K, HWANG S W, KO G W, SIM S H, SEONG H K, SONE C S, LEE J H, KO H D, CHOI S H, SHIM S, KO K, JEONG H, GO J, SON C