国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C23（2）
IPC小类 C23C（2）
IPC C23C014/18（2） C23C014/30（2） C23C014/35（2）
C23C014/48（2） C23C014/58（2） C23C016/26（2）
C23C028/00（2）
发明人 ZHENG P（2）
公开年 2018（2）
申请年 2018（2） 
专利权人 SHANGHAI INST MICROSYSTEM INFORMATION（2）

Method for directly preparing graphene quantum dot array on insulating substrate, involves subjecting germanium quantum dot array in structure to oxidative volatilization treatment to remove germanium quantum dot array.

DI Z, ZHENG P, DONG L, XUE Z

Directly preparing graphene on insulating substrate comprises e.g. providing an insulating substrate, forming germanium layer and grapheme layer on upper surface of insulating substrate from bottom to top, and removing germanium layer.

DI Z, ZHENG P, DONG L, XUE Z