国家/地区 美国（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2） H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） H01L021/02（2） H01L029/06（2）
发明人 AVOURIS P（2）
公开年
申请年
专利权人 TAIWAN BLUESTONE TECHNOLOGY LTD（2）

Carbon nanotube semiconductor device, has graphene electrode formed on surface of substrate such that electrically insulating portion is interposed between bulk portion of substrate and graphene electrode.

AVOURIS P, DIMITRAKOPOULOS C, FARMER D B, STEINER M B, ENGEL M, KRUPKE R, LIN Y

Carbon nanotube manufacturing method e.g. for nanotube-based transistor, involves aligning carbon nanotubes between graphene electrodes in direction parallel with electric field generated across graphene electrodes.

AVOURIS P, DIMITRAKOPOULOS C, FARMER D B, STEINER M B, ENGEL M, KRUPKE R, LIN Y