国家/地区 日本（3） 韩国（3） 美国（3）
IPC部 C（3） H（3）
IPC大类 H01（3） C01（2）
IPC小类 H01L（3） C01B（2）
IPC H01L021/02（2） H01L021/3065（2） H01L021/67（2）
H01L029/16（2）
发明人 MATSUMOTO T（3） IFUKU R（2）
公开年 2018（3）
申请年 2018（3）
专利权人 TOKYO ELECTRON LTD（3）

Method for processing substrate of MOSFET during manufacturing of integrated circuit, involves providing planarized substrate, followed by selectively depositing silicon dioxide film on first material and removing graphene layer.

TAPILY K N, MATSUMOTO T, KASHIWAGI Y, LEUSINK G J

Planarizing irregularities in graphene layer surface formed on substrate, comprises planarizing graphene layer by removing convex portion by anisotropically etching using plasma etching in in-plane direction from edge portion of graphene.

IFUKU R, HIGUCHI H, MATSUMOTO T

Anisotropic etching of graphene used as electronic material, involves generating hydrogen plasma using microwave plasma, and anisotropically etching graphene using generated hydrogen plasma.

IFUKU R, MATSUMOTO T