国家/地区 中国（4） 欧洲专利局（EPO）（4） 日本（4） 韩国（4） 美国（4） 世界知识产权组织（4）
IPC部 C（3） B（2） H（2）
IPC大类 C01（3） B82（2） H01（2）
IPC小类 C01B（3） B82Y（2） H01L（2）
IPC C01B031/02（3） B82Y030/00（2） B82Y040/00（2）
C01B031/04（2） H01L021/02（2） H01L021/336（2）
H01L029/06（2） H01L029/16（2） H01L029/786（2）
发明人 GEIM A（2） GEIM A K（2） GORBACHEV R（2）
GORBACHEV R V（2） NOVOSELOV K（2） NOVOSELOV K S（2）
PONOMARENKO L（2） PONOMARENKO L A（2）
公开年 2012（4）
申请年 2012（3） 
专利权人 UNIV MANCHESTER（4）

Graphene heterostructure used in fabrication of transistor, has first graphene layer, second graphene layer, and spacer layer positioned between the first and second graphene layers.

GEIM A K, NOVOSELOV K S, GORBACHEV R V, PONOMARENKO L A, BRITNELL L, GEIM A, NOVOSELOV K, GORBACHEV R, PONOMARENKO L

Graphene heterostructure used for electronic components used in electronic circuits, and for electronic devices, consists of graphene layer positioned between two encapsulation layers.

GEIM A K, NOVOSOLEV K S, GORBACHEV R V, PONOMARENKO L A, GEIM A, NOVOSELOV K, GORBACHEV R, PONOMARENKO L, NOVOSELOV K S

Producing graphene and graphite nanoplatelet structures in an electrochemical cell, comprises passing a current through the cell comprising a negative electrode, a positive electrode, and an electrolyte.

DRYFE R A W, KINLOCH I A

Preparing graphene oxide for inclusion in a polymer or resin system, comprises treating a mixture of graphene oxide and impurities with a solution of a base, and separating graphene oxide from the basified impurities.

KINLOCH I, YOUNG R, ROURKE J P, WILSON N R, ROURKE J, WILSON N