国家/地区 中国（2）
IPC部 G（2）
IPC大类 G01（2）
IPC小类 G01J（2）
IPC G01J005/20（2）
发明人 CAI G（2） FANG M（2） GAO J（2）
HUANG L（2） HUANG S（2） LU H（2）
MA Z（2） WANG C（2）
公开年 2021（2）
申请年 2021（2） 
专利权人 WUHAN GAOXIN TECHNOLOGY CO LTD（2）

Dual-mode non-refrigeration infrared detector heat-sensitive layer structure, has thermo-sensitive film layer provided with amorphous germanium silicon film, where sides of germanium silicon film are connected with vanadium oxide film.

HUANG L, LU H, MA Z, WANG C, FANG M, CAI G, GAO J, HUANG S

Vanadium pentoxide heat-sensitive film with sandwich structure used for silicon-based semiconductor, comprises substrate layer, buffer layer, and heat-sensitive layer including vanadium pentoxide layers and carrier concentration increasing layer located between adjacent vanadium pentoxide layers.

HUANG L, LU H, MA Z, WANG C, FANG M, CAI G, GAO J, HUANG S