国家/地区 中国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 B（2） H（2）
IPC大类 B82（2） H01（2）
IPC小类 B82Y（2） H01L（2）
IPC B82Y040/00（2） B82Y099/00（2） H01L021/20（2）
H01L021/336（2） H01L029/06（2） H01L029/78（2）
发明人 ZHU H（2）
公开年
申请年
专利权人 YIN H（2）

Forming graphene nano-ribbon to form metal-oxide-semiconductor field effect transistor involves forming stack of seed/growth blocking layer on insulating substrate, then patterning and growing graphene nano-ribbon at seed layer side surface.

LIANG Q, LUO Z, YIN H, ZHU H

Semiconductor device, has cap layer set on gate stack and sidewall surrounding gate stack and cap layer, and semiconductor layers epitaxially grown on exposed graphene layer, where metal contact layers are formed on semiconductor layers.

YIN H, LUO Z, ZHU H